PEQUIM - A Intel investirá US$ 2,5 bilhões de dólares para construir uma fábrica de processadores na China.

A produção deve começar em 2010. O início das obras da fábrica de placas de silício de 300 milímetros está marcado para julho.

A unidade, a ser instalada em Dalian, será a primeira fábrica de semicondutores da Intel na Ásia, disse Paul Otellini, presidente-executivo da Intel, a jornalistas.

"A China é nosso grande mercado de maior crescimento, e acreditamos que seja fundamental investir em mercados que ofereçam futuro crescimento para melhor atendermos nossos clientes", disse Otellini.

O projeto será a oitava fábrica de placas de silício de 300 milímetros da Intel, ampliando uma rede que já tem unidades em diversos pontos dos Estados Unidos, na Irlanda e em Israel, anunciou a empresa em comunicado.

A fábrica terá capacidade mensal de produção de 52 mil placas e usará tecnologia de 90 nanômetros para produzir chipsets, de acordo com a National Development and Reform Commission da China, em comunicado distribuído no começo do mês.

Chipsets são conjuntos de chips secundários e interfaces que cercam o processador principal e são usados em computadores de mesa, laptops e outros aparelhos eletrônicos.

O investimento vem se somar ao 1,3 bilhão investido pela Intel em instalações de teste e linhas de montagem de grande porte na China continental.

A fábrica de placas de silício de 300 milímetros utilizará tecnologia de 90 nanômetros, a mais avançada a ser usada na China até o momento, mas ainda uma ou duas gerações atrás da tecnologia de ponta.

A Intel tem licença do governo norte-americano para exportar tecnologia de 90 nanômetros até 2009. Mas uma vez que a fábrica não começará a produzir antes de 2010, a tecnologia para produção de circuitos de 65 nanômetros pode vir a ser adotada na unidade, caso licenças adicionais venham a ser concedidas, informou a Intel.

As placas de 300 milímetros reduzem o custo de produção por chip e diminuem em 40 por cento o consumo de energia e água, quando comparadas às fábricas que usam discos de silício de 200 milímetros.